从事紫外线LED事务的日本Nitride Semiconductor开宣布施加100mA电流时，光功率高达48mW的外表封装型紫外线nm。原产品“NS375L-7SFF”施加20mA的电流时，光功率为3.5mW。芯片尺寸增大到4倍以上，从原产品的280μm×280μm扩大到现在的600μm×600μm。
所开发的紫外线mm。作业时分的温度规模为-30～+80℃。将于2008年12月开端样品供货。
时间: 2024-04-28 23:47:35 | 作者: UV-LED固化机
从事紫外线LED事务的日本Nitride Semiconductor开宣布施加100mA电流时，光功率高达48mW的外表封装型紫外线nm。原产品“NS375L-7SFF”施加20mA的电流时，光功率为3.5mW。芯片尺寸增大到4倍以上，从原产品的280μm×280μm扩大到现在的600μm×600μm。
所开发的紫外线mm。作业时分的温度规模为-30～+80℃。将于2008年12月开端样品供货。